摘要：提出了一种用X射线反射术标定光谱椭偏仪的方法．作为一种间接测量方法，光谱椭偏术测得的薄膜厚度依赖于其光学常数，不具有可溯源性．在掠入射条件下，X射线反射术能测得薄膜的物理厚度，测量结果具有亚纳米量级的精密度且与薄膜光学常数无关．在单晶硅基底上制备了厚度分别为2nm，18nm，34nm，61nm及170nm的SiO2薄膜标样，并用强制过零点的直线拟合了两种方法的标样测量结果，拟合直线的斜率为1．013±0．013，表明该方法可在薄膜厚度测量中标定光谱椭偏仪．

关键词：光谱椭偏术 x射线反射术 膜厚 标定 

单位：清华大学精密仪器与机械学系、精密测试技术及仪器国家重点实验室 北京100084 中国计量科学研究院 北京100013