摘要：分析了Ⅲ-Ⅴ与Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的光学特性,证明半导体慢光介质不但可以提高干涉仪的光谱灵敏度,而且可以获得远大于气体慢光介质的工作光谱范围.实验证明,基于慢光介质GaAs的干涉仪光谱灵敏度相对于传统的干涉仪提高约3.2倍.

关键词：干涉仪 非线性光学 

单位：哈尔滨工业大学可调谐激光技术部级重点实验室光电子技术研究所 哈尔滨150080