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基于单电子晶体管-金属氧化物场效应晶体管电路的离散混沌系统实现

冯朝文 蔡理 康强 彭卫东 柏鹏 王甲富 物理学报 2011年第11期

摘要:提出了一种利用单电子晶体管与金属氧化物半导体的混合结构(SET-MOS)实现离散混沌系统的方法.研究了两个并联结构的单电子晶体管在电流源偏置下的传输特性,并建立其相应的S形分段线性函数模型.基于该模型实现了一维离散映射系统,分析了它的动力学特性,包括一维映射过程、分岔图和Lyapunov指数等.最后利用SET-MOS混合电路设计出该离散混沌系统的电子电路,验证了理论分析和实现方法的正确性.研究结果表明,该方法不仅可行,而且物理实现结构简单,利于集成.

关键词:离散映射lyapunov指数分岔电路实现

单位:空军工程大学理学院 西安710051 空军工程大学科研部 西安710051 空军工程大学综合电子信息系统研究中心 西安710051

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