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基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管

张学智 冯鸣 张心正 物理学报 2013年第02期

摘要:信号单向导通器件是集成光学中一种重要的基本元件,而中红外波段在空间遥感,光谱分析等领域都有极其重要的应用.本文提出了一种由两个硅基微环谐振腔构成,基于自相位调制效应的硅基中红外全光二极管,并利用数值模拟的方法进行了分析.结果表明,在输入光强为0.5mW到20mW之间时,其非互易导通率可以大于20dB,且正向透过时损耗小于10dB.此外,本文还讨论了环形谐振腔中的线性吸收率,以及双稳态效应对结果的影响.

关键词:全光二极管中红外硅基光子学

单位:南开大学物理科学学院弱光非线性光子学教育部重点实验室 天津300071

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