摘要:采用第一性原理方法研究了表面氢化的双层氮化硼的结构和电子性质.考虑了表面氢化的双层BN可能存在的六种主要构型,计算结果表明:AB-BN和AA-BN两种构型最为稳定.进一步分析了氢化后的双层BN最稳定构型的能带和电子性质.AB-BN和AA-BN两种构型的原子薄片均为直接带隙半导体,GGA计算的带隙值分别为1.47 eV和1.32 eV.因为GGA通常严重低估带隙值,采用hybrid泛函计算得到带隙值分别为2.52eV和2.34 eV.在最稳定的AB-BN和AA-BN两种构型中,B-N键呈现共价键,而B-H和N-H则具有明显的离子键的特点.在双轴应变下氢化双层BN原子薄片可以被连续地调节带隙,当晶格常数被压缩约8%时,原子薄片由半导体性转变为金属性.
关键词:氢化 双层bn原子薄片 电子结构 第一原理计算
单位:武夷学院机电工程学院 武夷山354300 厦门大学物理系 厦门361005 福建省理论与计算化学重点实验室 厦门大学 厦门361005
注:因版权方要求,不能公开全文,如需全文,请咨询杂志社
相关期刊
表面技术 表面工程资讯 中国表面工程 现代表面贴装资讯 表面工程与再制造 表面活性剂工业 标记免疫分析与临床 日用化学工业 中国材料科技与设备 Journal of Iron and Steel Research相关范文
表面化学论文