摘要：采用密度泛函理论（DFT）广义梯度近似GGA和HSB06方法研究了氢化双层硅烯（silicene）的结构和电子性质,结果表明：氢化后的双层硅烯可能存在三种稳定的构型,AA椅型、AB椅型和AA船型,其中AA椅型和AB椅型结构最为稳定,氢化后这三种稳定构型材料的性质由零带隙的半金属（semimetal）转变为禁带宽度分别为1.208,1.437和1.111 eV的间接带隙的半导体,采用混合泛函HSB06计算修正得到的带隙分别为1.595,1.785和1.592 eV.进一步分析了在双轴应变下氢化双层硅烯的带隙随应变的关系,得到应变可以连续的调节材料的带隙宽度,这些性质有可能应用于未来的纳米电子器件.

关键词：氢化 双层硅烯 电子结构 第一原理计算 

单位：武夷学院机电工程学院 武夷山354300