摘要：忆阻器是纳米级器件,其功耗低,集成度高,有着巨大的应用潜能.单个器件具有丰富的电学性质,其串并联电路更展现了丰富的动力学行为.然而,忆阻器在高密度集成的环境下,其耦合效应不可忽视.因此,本文首先基于磁控忆阻器推导了耦合忆阻器的数学模型.其次,在考虑不同极性连接和耦合强度的前提下,讨论两个磁控忆阻器串并联的耦合情况,进行了详细的理论分析,并通过数值仿真探索了耦合效应对忆阻系统的影响.同时,设计了基于Matlab的图形用户界面,直观地展示了不同参数下的耦合特性曲线.进一步,本文展示了有无耦合情况下,初始阻值对忆阻器正常工作范围的影响.最后,构建耦合忆阻器的Pspice仿真器,从电路的角度再次验证了忆阻器间的耦合效应.实验结果表明：同极性耦合增强了阻值的改变,相反极性的耦合减缓了阻值的改变.这些动力学特性可以很好地应用于忆阻网络中,也为全面考虑忆阻系统电路的设计提供了强大的理论基础.

关键词：磁控忆阻器 耦合效应 图形用户界面 pspice 

单位：西南大学电子信息工程学院 重庆400715