摘要：通过对低压化学气相沉积（LPCVD）系统进行改造,实现在沉积Si3N4薄膜前的原位等离子体氮化处理,氮等离子体可以有效地降低器件界面处的氧含量和悬挂键,从而获得了较低的LPCVD-Si3N4/GaN界面态,通过这种技术制作的MIS-HEMTs器件,在扫描栅压范围V（G-sweep）=（-30 V,＋24 V）时,阈值回滞为186 mV,据我们所知为目前高扫描栅压V（G＋）（〉20 V）下的最好结果.动态测试表明,在400 V关态应力下,器件的导通电阻仅仅上升1.36倍（关态到开态的时间间隔为10μs）．

关键词：氮化镓高电子迁移率晶体管 低压化学气相沉积 原位氮化 

单位：苏州工业园区服务外包职业学院纳米科技学院; 苏州215123; 中国科学院大学、苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 苏州215123