摘要：报道了一种基于多层六角氮化硼（h-BN）二维薄膜的忆阻器件.该器件不需要电预处理过程,且具有自限流的双极性阻变行为;具有较好的抗疲劳性和较长的数据保持时间.该器件在脉冲编程条件下具有模拟转变特性,即在连续的电压脉冲下器件的电阻态能被连续地调控,使得该器件能够模仿神经网络系统中的神经突触权重变化行为.综上所述,基于多层h-BN的忆阻器具有应用在非易失性存储和神经计算中的潜力.

关键词：六角氮化硼 电阻转变 忆阻器 神经形态 

单位：中国科学院微电子研究所; 微电子器件与集成技术重点实验室; 北京100029; 中国科学院大学; 北京100049