摘要：高功率垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）内部的自生热是影响器件功能的重要因素，为改善器件的散热性能，采用AIN膜做钝化层研制了基于AIN膜钝化层的980nm高功率VCSEL器件。对高功率VCSEL进行模拟仿真与理论分析表明，采用AIN膜钝化层可以改善器件内部的温度分布，降低器件的热阻，提高器件的散热能力；采用相同的外延片与工艺实验制备了出光孔径同为200μm的AIN膜钝化层和传统的SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件；对两种不同的钝化层的器件性能进行了实验对比测试，结果表明AIN膜钝化层的高功率VCSEI，器件室温下的最大输出功率可达470mW，比同温度下SiO2膜钝化层的高功率VCSEL器件的最大输出功率高140mW。AIN膜钝化层的高功率VCSEL在外界温度80℃时，仍能正常激射，具有良好的温度适应性与光电性能。

关键词：激光器 高功率半导体激光 垂直腔面发射激光器 a1n膜 钝化层 

单位：长春理工大学电子信息工程学院 吉林长春130022 中国人民解放军装甲兵技术学院电子工程系 吉林长春130117