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基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho∶LiLuF4激光器基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho∶LiLuF4激光器基于氧化石墨烯可饱和吸收体的低阈值被动调Q锁模Tm,Ho∶LiLuF4激光器

令维军; 夏涛; 董忠; 左银艳; 李可; 刘勍; 路飞平; 王勇刚 中国激光 2018年第03期

摘要:利用垂直生长法制备的氧化石墨烯(GO)作为可饱和吸收体,结合特殊设计的低阈值谐振腔,在Tm,Ho∶LiLuF4全固态激光器中实现了低阈值被动调Q锁模运转。出光阈值功率低至73 mW,稳定锁模阈值功率为663 mW,对应GO可饱和吸收体上功率密度为76.4 μJ·cm-2。典型的调Q脉冲包络重复频率为104.2 kHz,脉宽约为30 μs,包络下锁模脉冲序列的重复频率为178.6 MHz,调制深度接近100%。

关键词:激光器低阚值tm氧化石墨烯调q锁模

单位:天水师范学院激光技术研究所; 甘肃天水741001; 陕西师范大学物理学与信息技术学院; 陕西西安710062

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