摘要：采用湿法硫钝化的方式,显著降低了砷化镓（GaAs）材料的表面态密度。钝化处理后的GaAs薄膜光致发光强度提高了约14倍,光电流和响应度均增大。从能带角度分析了样品性能提升的原因,结果表明,钝化处理有利于表面态密度和肖特基势垒高度的调节,进而提升了样品性能。

关键词：薄膜 砷化镓 光致发光 硫钝化 光电流 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室; 吉林长春130022; 吉林大学物理学院; 吉林长春130023