摘要：用均相沉淀法制备了不同形状和尺寸的CeO2超细粉体,并配制成不同pH值的抛光液对硅片进行化学机械抛光.研究了不同粒径CeO2磨料的抛光效果,结果表明,微米级的CeO2磨料粒径比较大,切削深度比较深,材料的去除是以机械作用为主.随着磨料粒径的减小,切削深度随之减小,材料以塑性流动的方式去除,最终在2μm的范围内得到了微观表面粗糙度Ra=0.120nm的超光滑表面.实验证明,CeO2磨料对硅片具有良好的抛光效果.

关键词：ceo2磨料 化学机械抛光 硅片 粗糙度 

单位：江苏大学材料科学与工程学院; 镇江; 212013; 江苏大学材料科学与工程学院; 镇江; 212013; 江苏工业学院; 常州; 213016