摘要：分析了目前几种常见的化学机械抛光机中抛光头与抛光垫的运动关系,针对不同的硅片运动形式,计算了磨粒在硅片表面的运动轨迹;通过对磨粒在硅片表面上的运动轨迹分布的统计分析,得出了硅片在不同运动形式下的片内材料去除非均匀性.从硅片表面材料去除非均匀性方面,对几种抛光机的运动形式进行了比较,结果表明,抛光头摆动式抛光机所产生的硅片内非均匀性最小.该研究为化学机械抛光机床的设计和使用中选择和优化运动参数提供了理论依据.

关键词：化学机械抛光 运动形式 硅片内非均匀性 磨粒轨迹 

单位：大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室; 大连; 116024; 河南科技学院; 新乡; 453003; 大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室; 大连; 116024