摘要：大马士革（Damascene）结构的Cu／低k介质材料互连技术为集成电路芯片制造提出了方向和挑战。电化学机械平整化（ECMP）作为化学机械平整化（CMP）的一种拓展加工手段，可对传统CMP技术进行补偿，可对含有易损多孔电介质材料的新型互连结构进行低压力平整化。比较了ECMP和CMP的特点，对ECMP技术的研究现状和发展趋势进行了综述。指出ECMP过程控制的深层次的技术基础是摩擦电化学理论，只有深入系统地研究ECMP过程中的外加电势、摩擦磨损、化学反应三者间的相互作用，才能揭示ECMP过程中材料的加速去除原理和超光滑无损伤表面的形成机理。

关键词：低k介质 cu大马士革互连 摩擦电化学 

单位：哈尔滨工业大学 哈尔滨150001