摘要：在掌握声子晶体研究现状及其基本理论的基础上,采用集中质量法计算三维四元声子晶体的振动带隙,并考察填充率和散射体单元结构体积百分比变化对第一带隙的影响.研究结果表明：此结构在低频段存在振动带隙;随着填充率的增大,带隙边界频率向低频移动,带隙宽度增大;散射体单元结构体积百分比变化对带隙边界频率和带隙宽度有较大影响.研究结果为声子晶体研究提供了获得振动带隙的依据和有效方法.

关键词：声子晶体 四元 带隙 填充率 结构体积百分比 

单位：湖北工业大学; 武汉430068