摘要：采用酸碱两种不同的化学蚀刻液对单晶硅表面进行蚀刻，通过扫描电镜（SEM）对其形貌进行了表征，考察了蚀刻液浓度、蚀刻时间及温度对表面形貌的影响。结果表明，在HNO3＋HF溶液中，20℃时用2．81mol／LHF＋18.81mol／LHNO3反应5min或2．67mol／LHF＋17．85mol／LHNO3反应15min，制得了硅片表面腐蚀坑大小适中、分布均匀的多孔状表面；在KOH水溶液中，50％时在33％的KOH水溶液中反应10min获得了表面积大、分布均匀的绒状表面。

关键词：化学蚀刻 单晶硅片 表面形貌 

单位：河南科技大学材料科学与工程学院; 河南洛阳471003