摘要：电子倍增型GaAs光阴极是利用雪崩倍增效应的一种新型光阴极组件,通过在常规GaAs光阴极中引入雪崩电子倍增层制备了GaAs光阴极/电子倍增器一体化组件,研究了该组件的热清洗温度、电子增益等性能.对组件热清洗工艺前后的I-V特性进行了对比测试,结果表明,该组件可以承受580℃的热清洗温度,并获得了12.6倍的电子增益;880nm处的探测灵敏度≥3.87mA/w;暗电流密度≤6.79×10-5mA/cm2.

关键词：砷化镓 光阴极 雪崩倍增 电子增益 负电子亲和势 

单位：微光夜视技术重点实验室; 陕西西安710065; 北方夜视科技集团有限公司; 云南昆明650223; 西北工业大学材料学院; 凝固技术国家重点实验室; 陕西西安710072