首页 > 期刊 > 环境技术 > 基于Planar工艺的NAND辐射总剂量效应研究进展 【正文】
摘要:Flash存储器因其高存储容量、低功率以及非易失性等特点而被广泛应用于航天系统中。本文对NAND器件中各功能模块的辐射总剂量效应试验结果进行了分析和讨论。结论是浮栅结构是总剂量效应最为敏感的模块。
关键词:nand 总剂量 浮栅
单位:上海微小卫星工程中心; 上海201203
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