摘要：SOI工艺具有内在的抗辐照能力，因此被广泛地应用于航天、军事等高可靠领域。本文基于我国目前最先进的0．5μm的PD SOI工艺设计了8Kb的SRAM，并且采用体引出、环形栅等多种技术对其进行了抗辐射加固。模拟表明该SRAM的读写时间小于20ns，50MHz下平均功耗小于55．8mW。

关键词：抗辐照 pd soi 静态存储器 

单位：国防科技大学计算机学院 湖南长沙410073