摘要：提出用改进的Rymaszewski公式并使用方形四探针法测试无图形大型硅片微区薄层电阻的方法，从理论上推导出方形四探针产生游移时的Rymaszewski改进公式．讨论探针游移对测试结果的影响,制定出可操作的测试方法，对实际样品进行测试验证，并绘制了等值线图

关键词：四探针技术 方形四探针 微区电阻 探针游移 半导体测量 

单位：河北工业大学微电子技术与材料研究所，天津300130