摘要：用Monte Carlo方法模拟和分析了电子束光刻中限制其分辨率的主要因索——邻近效应的影响．分析了入射电子柬的形状、入射电子的能量、衬底材料和厚度对邻近效应大小的影响，并与实验结果进行了比较，发现模拟结果与实验结果符合得很好．分析表明高斯分布的电子束比理想电子束的邻近效应大；衬底原子序数越大，衬底越厚，入射电子柬能量越低，邻近效应越大．

关键词：电子束光刻 邻近效应 monte carlo 

单位：中国科学技术大学、结构分析重点实验室、物理系; 合肥230026