摘要：本文利用射频磁控溅射法制备了一系列厚度约800 nm的非晶铟镓锌氧化物（a-IGZO）薄膜，并对其电输运性质和低温的电子退相干机理进行了系统的研究。研究发现，所有a-IGZO薄膜中，载流子浓度均不随温度变化，高温区的电阻-温度系数为正，说明样品具有类金属导电特性。通过对薄膜低温磁电阻的测量，获得了电子退相干散射率与温度的关系。分析表明，薄膜中电子-声子散射率远小于小能量转移电子-电子散射率，小能量转移电子-电子散射率主导电子退相干散射率与温度的依赖关系。

关键词：电子散射 弱局域效应 电子输运性质 

单位：天津大学理学院天津市低维功能材料物理与制备技术重点实验室; 天津300350