摘要：采用反应磁控溅射法制备二氧化钒（VO2）薄膜,并对其进行快速热处理（RTP）。主要研究500℃快速热处理10、15、20s工艺条件下VO2薄膜结晶状况和光电性能的变化。在20℃～80℃温区内,应用四探针薄膜电阻测试方法和太赫兹时域频谱技术（THz-TDS）测量了各样品的电学相变特性和光学相变特性。结果表明,经过快速热处理的样品电学相变幅度均达到了2个数量级以上;THz波的透射率在半导体-金属相变前后的最大变化达到了57.9%。同时发现,热处理500℃,10s时VO2的电学和光学相变幅度相对要大,当热处理时间达到15s左右时薄膜的相变幅度变化不再明显。快速热处理时间的长短对热致相变温度点的影响较小,但热致电学相变和光学相变的相变温度点不同：光学相变的温度为60℃左右,电学相变温度则在56℃附近。

关键词：薄膜 二氧化钒 快速热处理 太赫兹调制 相变 

单位：天津大学电子信息工程学院 天津300072