摘要：随着计算机磁头与磁盘间隙的不断减小,硬盘表面要求超光滑(亚纳米级粗糙度).化学机械抛光技术是迄今几乎唯一的全局平面化技术.研究了抛光液特性与计算机硬盘基片的化学机械抛光性能间的关系,结果表明,抛光后表面的波纹度(wa)、粗糙度(Ra)以及材料去除量强烈依赖于抛光液中磨粒的粒径、磨粒和氧化剂的浓度等因素.借助对抛光后表面的俄歇能谱(AES)分析,对其化学机械抛光机理进行了探讨.

关键词：硬盘基片 亚纳米级粗糙度 cmp机理 

单位：上海大学纳米科学与技术研究中心; 上海; 200436; 清华大学摩擦学国家重点实验室; 北京; 100084; 深圳开发磁记录有限公司; 深圳; 518035