摘要：采用全电势线性缀加平面波（FP-LAPW）的方法,基于密度泛函理论第一性原理结合广义梯度近似（GGA）,运用Wien2k软件计算了In,N两种元素共掺杂SnO2材料的电子态密度和光学性质.研究表明,共掺杂结构在自旋向下和向上两方向上都出现细的局域能级,两者态密度分布不对称;带隙内自旋向下方向上产生局域能级,共掺化合物表现出半金属性;能带结构显示两种共掺杂化合物仍为直接禁带半导体,价带顶随着N浓度的增加发生向低能方向移动,带隙明显增宽;共掺下的介电函数虚部主介电峰只在8.58eV存在,且主峰位置发生右移,峰值强度显著增大;实部谱中,不同N浓度的两种共掺结构其静介电常数也明显增大,N的2p态与In的5s态之间发生强烈的相互作用;共掺下吸收谱中的吸收峰数目减少,吸收光波段范围增宽.

关键词：电子结构 态密度 能带结构 光学性质 

单位：济南大学理学院 济南250022