摘要：研究了三种典型的碳化硅光学材料CVD SiC、HPSiC以及RBSiC的材料去除机理与可抛光性，并对其进行了超光滑抛光试验。在分析各种材料制备方法与材料特性的基础上，通过选择合理的抛光工艺参数，均获得了表面粗糙度优于Rq=2nm（采样面积为0.71mm×0.53mm）的超光滑表面。试验结果表明：研磨过程中，三种碳化硅光学材料均以脆性断裂的方式去除材料，加工表面存在着裂纹以及材料脱落留下的缺陷；抛光过程中，CVD SiC主要以塑性划痕的方式去除材料，决定表面粗糙度的主要因素为表面微观划痕的深度；HP SiC同时以塑性划痕与晶粒脱落的形式去除材料，决定表面粗糙度的主要因素为碳化硅颗粒大小以及颗粒之间微孔的尺寸；RB SiC为多组分材料，决定其表面粗糙度的主要因素为RB SiC三种组分之间的去除率差异导致的高差。

关键词：碳化硅 抛光 去除机理 表面粗糙度 

单位：国防科学技术大学 湖南长沙410073