摘要：绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是一种新型的电力电子器件，由于具有良好的特性，在电力电子装置中得到了非常广泛的应用。分析了IGBT的物理结构和工作原理，得出IGBT元胞结构中寄生了一个等效的晶闸管器件，这是引发擎住效应的内部原因。总结了引发擎住效应的外电路条件，即过大的集电极电流或过大的集电极-发射级电压变化率。利用PSpice电路仿真软件建立了一个IGBT擎住效应教学模型电路，并进行具体的分析。

关键词：绝缘栅双极型晶体管 擎住效应 仿真 pspice 

单位：南华大学 湖南衡阳421001