摘要：宽禁带（一般指禁带宽度〉2.3eV）半导体材料的研发与应用方兴未艾,正在掀起新一轮的热潮.其中碳化硅{SiC}和氮化镓{GaN}以高效的光电转化能力、优良的高频功率特性、髙温性能稳定和低能和低能量损耗等优势,成为支撑信息、能源.交通.先进制造.国防等领域发展的重点新材料.

关键词：宽禁带半导体材料 应用 研发 禁带宽度 转化能力 

单位：北京有色金属研究总院