摘要：为改善垂直腔面发射半导体激光器（VCSEL）的热特性，提高其光电性能，研制了新型辐射桥结构的VCSEL，即采用辐射桥状的电流注入通道取代以往传统结构VCSEL的环形电流注入通道。研究表明辐射桥结构可以降低VCSEL器件的体电阻和热阻，改善器件的模式特性。在同一外延片上，采用相同的工艺制备了辐射桥结构与传统结构两种VCSEL器件，并对两种器件的光电性能进行了对比测试。结果表明，辐射桥结构VCSEL比传统结构的VCSEL微分电阻降低25％，输出功率提高到1．6倍；辐射桥结构的VCSEL具有良好的温度特性与模式特性，80℃时仍能正常激射，60℃时最大输出功率可达17mw，器件的热阻可达1．95℃／mw；器件单模工作，其总体性能远优于传统结构的VCSEL器件。

关键词：激光技术 垂直腔面发射激光器 辐射桥 热阻 

单位：长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室 吉林长春130022 中国人民解放军装甲兵技术学院 吉林长春130117